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晶片怎麼做約 5 分鐘

晶圓清洗是什麼?為什麼要洗那麼多次

晶圓清洗,就是在做晶片的步驟之間,用藥液把晶圓表面看不見的髒東西洗掉,再用超純水沖乾淨、弄乾。要洗掉的有四種:小顆粒、有機物、金屬,還有矽在空氣裡自己長出來的一層很薄的氧化層。晶片是一層一層疊出來的,每做一步都會留下一點東西,下一步又最怕表面不乾淨,所以幾乎每一大步的前後都要洗。清洗也因此是整條流程裡重複次數最多的步驟之一。廠裡多半叫它「濕式清洗」,英文是 wafer cleaning 或 wet clean。

晶圓上到底有什麼要洗?

晶圓看起來亮得像鏡子,表面卻常常不乾淨。要洗掉的大概是這四種:

  • 顆粒:灰塵、機台零件磨下來的碎屑、研磨留下的細粒。晶片上最細的線只有幾十奈米,甚至更細,一顆微粒落上去,線就可能斷掉,或讓兩條線連在一起。空氣裡的微粒靠無塵室擋(見「無塵室有多乾淨?」),可是晶圓進出機台、泡藥液,還是會沾上。
  • 有機物:光阻留下的殘渣、空氣裡微量的有機氣體。表面多了一層看不見的薄膜,下一層就長不好、黏不牢。
  • 金屬:鐵、銅這類,可能來自藥液或機台零件。留在表面,很薄的絕緣層會變得不耐電;遇到高溫鑽進矽裡,電晶體就容易漏電。
  • 自然氧化層:矽碰到空氣和水,表面會自己長出一層只有幾層原子厚的氧化層。有些步驟留著它當保護;有些步驟要先把它拿掉,讓下一層直接接在乾淨的矽上。

為什麼幾乎每一步前後都要洗?

每一步都會留下東西,下一步又各有各怕的事:

  • 蝕刻和去光阻之後:刻下來的殘渣、沒去乾淨的光阻,不能帶到下一站(蝕刻怎麼刻,見「蝕刻是什麼?乾蝕刻和濕蝕刻差在哪」)。
  • CMP 磨完之後:研磨液裡滿是細小的磨粒,磨完一定要洗(見「CMP 是什麼?」)。
  • 進爐管之前:表面的金屬和有機物,會被高溫一起「烤」進去,長出來的氧化層品質就差。所以進爐管這類高溫步驟之前,一定要洗得很完整(見「爐管在做什麼?」)。
  • 長薄膜之前:表面不乾淨,新的膜就長不均勻。

晶片要疊幾十層,每一層都要在好幾個區之間繞一圈(見「晶圓廠七個製程區各在做什麼?」)。一片晶圓做完之前,要進清洗機很多很多次。

洗完也不能放太久。乾淨的矽放在空氣裡,氧化層會慢慢長回來,也會吸附空氣裡的東西。所以清洗和下一站之間常有時間上限,叫 Q-time(見「Q-time 是什麼?為什麼晶圓不能放太久」)。

用什麼洗?一套常見的標準流程

就像洗衣服,油漬和鐵鏽要用不同的東西洗,晶圓也一樣。最常見的一套標準濕式清洗,幾十年前就訂下來,到今天還是很多配方的基礎。順序是:先去有機物和顆粒,再去金屬。

  1. 第一道,鹼性的藥液:氨水、過氧化氫(就是雙氧水)和水,加熱使用。過氧化氫是氧化劑,把有機物分解掉;表面同時被很輕地吃掉一點,黏在上面的顆粒跟著鬆開、被帶走。
  2. 用超純水沖,把第一道的藥液沖乾淨。
  3. 第二道,酸性的藥液:鹽酸、過氧化氫和水,把表面的金屬溶掉、帶走。
  4. 再用超純水沖,最後弄乾。

要拿掉自然氧化層時,會再加一道很稀的氫氟酸。光阻這種比較厚的有機物,常先用硫酸加過氧化氫這種很強的氧化劑處理。廠裡常把前面那兩道藥液叫 SC-1、SC-2。

一槽一槽泡,還是一片一片噴?

  • 批次式:一整批晶圓一起,一槽一槽依序泡下去:藥液槽、沖水槽、下一個藥液槽……最後弄乾。一次洗很多片,產量大。缺點是同一槽藥液要洗很多批,洗下來的東西有一部分留在槽裡,有的又黏回晶圓上,所以洗到一定的批數就要整槽換。
  • 單片式:一次只洗一片。晶圓在一個密閉的小空間裡轉,噴嘴把藥液和超純水噴在表面,最後高速甩乾。前一片洗下來的東西,不容易帶到下一片,條件也好控制;代價是一次只洗一片,要更多台機器。

兩種在廠裡都有,看那一步最在意的是什麼。不管哪一種,最後都是用超純水沖、再弄乾:水裡有什麼,就可能留在晶圓上,所以要用幾乎只剩水分子的水(見「超純水有多純?為什麼晶圓廠很耗水」)。水沒有乾得均勻,還會留下一圈一圈的水痕。

濃度、溫度、時間,為什麼都要管?

藥液洗的力道,看三件事:多濃、多熱、泡多久。濃一點、熱一點、泡久一點,力道比較強,表面也被吃掉比較多。

麻煩的是,藥液自己會變。加熱的槽裡,過氧化氫會慢慢分解,氨會一點一點跑掉;洗過的批數越多,槽裡的髒東西也越多。所以濃度、溫度、浸泡時間都寫進 Recipe,機台照著跑;藥液定時補,到了次數就整槽換;再定時跑監控片,量洗掉了多少、洗完多了幾顆微粒,看機台有沒有在變。

洗太久,也會傷晶圓嗎?

會。清洗多半也是一種很輕的蝕刻:藥液拿掉髒東西的時候,表面也會被吃掉一點點。泡太久、藥液太強,就可能把底下不該動的那一層吃薄,或把矽的表面弄粗糙。吃掉的,放不回去。

一次只吃掉一點點,可是一片晶圓要洗很多次,線又越做越細,加起來就得算。所以清洗要的不是越久越好,而是剛好:髒東西拿掉,底下最好一點都不動。這也是它和濕蝕刻不一樣的地方:兩個都泡藥液,濕蝕刻要拿掉一層材料,清洗只想拿掉髒東西。

在 fab24hr 裡

在 fab24hr,按「進廠」、選「打工人的一天」,在「今天你是」卡片上點「量產廠」、左右滑到製程工程師,名字下面再點「清洗」,就是清洗製程工程師。你顧的是 WET-05 這一排槽,洗要進爐管和 CMP 磨完的貨。四個班:

  • 深夜班「撐不到十點」:你在家 on-call。爐管 FURN-02 半夜跳機,昨晚洗完的兩批 Q-time 只有四個小時,要改走另一座爐管,還是等天亮重洗;三點多,WET-05 的槽液也到了該換的次數。
  • 早班「往上爬的顆粒」:洗完的顆粒數一路往上爬,要現在停機處理,還是先把浸泡時間加長撐著。
  • 午班「看不到的金屬」:表面看起來乾淨,金屬卻偏高;傍晚那一爐整爐一起進,要先擋下來、重洗多加一道去金屬的藥液,還是照原本的配方。
  • 晚班「比較強的槽液」:新換的槽液比較強,早上加長的浸泡時間要改回來;CMP 還送來幾片露出金屬線的濕片,要決定怎麼洗。

滑到設備工程師再點「清洗」,顧的是 WET-05 的硬體;研發線也有清洗的位子。遊戲裡的廠、人物、機台編號和時間都是虛構的;清洗要洗掉什麼、為什麼要管濃度、溫度和時間,照公開的一般資料寫。其他行話可以到「半導體晶圓廠的行話,白話解釋」查。

在遊戲裡你會在哪裡遇到它當清洗製程工程師(量產廠 › 製程 › 清洗),WET-05 是你的機台:槽液什麼時候換、浸泡時間多長、洗完的晶圓還能放多久,都要你決定。

在 fab24hr 裡,半夜爐管跳機、昨晚洗好的兩批在倒數,要不要重洗,問的是你。

當清洗製程工程師玩,顧好 WET-05

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